Εξελίξεις στους επεξεργαστές με τη νέα Intel FBC cache

Η Intel προχώρησε στην κατασκευή σε κλίμακα ενός νέου είδους λανθάνουσας μνήμης [cache] χρησιμοποιώντας τις τεχνολογίες High-k και Metal Gate 45nm [που χρησιμοποιούνται και στα transistors των νέων επεξεργαστών της 45nm], γεγονός που μπορεί να σημαίνει μια νέα εποχή στη κατασκευή των επεξεργαστών, αλλά και σε άλλους τομείς των υπολογιστών. Με βάση τη νέα αυτή υπερ-συμπυκνωμένη cache, οι επεξεργαστές της εταιρείας είναι δυνατόν να ενσωματώσουν έως και τρεις με τέσσερις φορές μεγαλύτερη ποσότητα μνήμης cache σε σχέση με τα σημερινά μοντέλα μέχρι σήμερα και στην αγορά desktop υπολογιστών, η Intel έχει παρουσιάσει τετραπύρηνα μοντέλα που ενσωματώνουν έως 12ΜΒ L2 cache.

Η Intel έχει κατασκευάσει στοιχεία πύλης κοντά στα 30nm αλλά είναι σίγουρη πως μπορεί να φτάσει έως και τα 15nm με 10nm. Η τεχνολογία μνήμης FBC [Floating Point Cell] μπορεί να αυξήσει την πυκνότητα της cache κατά τρεις έως τέσσερις φορές σε σύγκριση με την τεχνολογία cache [SRAM] που χρησιμοποιείται σήμερα και που χρησιμοποιεί με τη σειρά της έξι transistors. Η τεχνολογία FBC cache χρησιμοποιεί μόλις έναν πυκνωτή [με τάσεις και στις δυο πλευρές για να συγκρατεί τη φόρτιση] τοποθετημένο στη βάση μιας μονής "μεταλλικής πύλης" 45nm [Metal Gate] η οποία με τη σειρά της βρίσκεται πάνω από ένα υπέρλεπτο πολύ χαμηλής τάσης υπόστρωμα SOI [Silicon On Insulator] πάχους 22nm. Το συγκεκριμένο "στοιχείο" είναι δυο γενιές μπροστά σε σχέση με αυτό που η Intel είχε επιδείξει το 2006 και αφορούσε σε διπλή πύλη και χωρίς το υπόστρωμα SOI